直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直流二級(jí)濺射的基礎(chǔ)上，在靶材后面安防磁鋼?？梢杂脕?lái)濺射沉積導(dǎo)電膜，而且沉積速度快；

但靶材若為絕緣體的話，將會(huì)迅速造成靶材表面電荷積累，從而導(dǎo)致濺射無(wú)法進(jìn)行。

所以對(duì)于純金屬靶材的濺射，均采用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。

中頻磁控濺射， 常用來(lái)進(jìn)行反應(yīng)濺射，如金屬氧化物、碳化物等，將少許反應(yīng)性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，

使反應(yīng)氣體與靶材原子一起于基材上沉積。

對(duì)于一些不易找到的塊材料制成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍后，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過(guò)反應(yīng)沉積來(lái)獲得改善。